特許
J-GLOBAL ID：200903040642484130
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176814
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 レジストマスクをアッシングする際、HSQ材料が膜減りして後退したり、水分を多く含む吸湿性の高い膜に変質しないようにする。【解決手段】 基板1の上にSi-H結合を含む絶縁膜5を形成した後、絶縁膜5の選択された領域上にレジストマスク7を形成する。絶縁膜5のうちレジストマスク7で覆われていない部分をエッチングし、絶縁膜5にビア8を形成した後、レジストマスク7を除去する。このレジストマスク7を除去する際、水蒸気プラズマ9または水素と酸素の混合ガスから形成したプラズマを用いてレジストマスク7をアッシングする。
請求項（抜粋）：
Si-H結合を含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の選択された領域上にレジストマスクを形成する工程と、前記絶縁膜のうち前記レジストマスクで覆われていない部分をエッチングし、前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、を包含する半導体装置の製造方法であって、前記レジストマスク除去工程は、水蒸気を含有するガスから形成したプラズマを用いて前記レジストマスクをアッシングする工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 H
, G03F 7/42
