特許
J-GLOBAL ID：200903040651249233
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072278
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270441
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】水分に起因するデバイスの信頼性についての特性劣化を低減すると共に、デバイスの初期特性に影響を与えない絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】LPCVD法によって形成されたシリコン窒化膜11でトランジスタ9をカバーし、そのシリコン窒化膜11の膜厚を10nm未満にする。これにより、水分に起因するトランジスタ9の信頼性についての特性劣化を低減することが可能になり、シリコン窒化膜11がトランジスタ9の初期特性に影響を与えるのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたデバイスをカバーするシリコン窒化膜を備え、そのシリコン窒化膜の膜厚が10nm未満である半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 29/78 301 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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