特許
J-GLOBAL ID：200903040654058331
SiC単結晶の合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012646
公開番号（公開出願番号）：特開平11-209198
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：
【要約】【課題】 大型で高品質なSiCエピタキシャル膜を高速に成長させる。【解決手段】 炭素を含むガス中に2つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB>とする。低温領域T<SB>1</SB>に固体のSi源8、高温領域T<SB>2</SB>にSiCの種結晶またはSiC単結晶の基板13をそれぞれ設置する。低温領域T<SB>1</SB>からSiを蒸発させ、その蒸発させたSiをガス中の炭素成分と反応させてSiC形成ガスを形成し、SiC形成ガスを高温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはSiC単結晶の基板13に到達させてSiC単結晶を合成する。
請求項（抜粋）：
炭素を含むガス中に2つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB>とし、低温領域T<SB>1</SB>に固体のSi、高温領域T<SB>2</SB>にSiCの種結晶またはSiC単結晶基板をそれぞれ設置して、前記低温領域T<SB>1</SB>からSiを蒸発させ、その蒸発させたSiを前記ガス中の炭素成分と反応させてSiC形成ガスを形成し、前記SiC形成ガスを前記高温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはSiC単結晶基板に到達させてSiC単結晶を合成することを特徴とするSiC単結晶の合成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
