特許
J-GLOBAL ID：200903040664519507
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344264
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189495
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 微細でかつ高アスペクト比の接続孔や配線溝等に充填された、信頼性の高い導電膜を具備する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板と、この半導体基板上に形成され、凹部を有する絶縁膜と、前記凹部に形成された導電膜とを具備し、前記導電膜は、導電膜を構成する元素よりも低い融点を有する物質を固溶可能な最大の濃度以下含有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、凹部を有する絶縁膜と、前記凹部に形成された導電膜とを具備し、前記導電膜は、導電膜を構成する元素よりも低い融点を有する低融点物質を、固溶可能な最大の濃度以下含有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/768
H01L 21/288 Z
, H01L 21/90 A
