特許

J-GLOBAL ID：200903040684311554

絶縁酸化膜の形成方法

発明者： 大見 忠弘 ,  森田 瑞穂
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212236
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244174
出願日： 1990年05月07日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高性能な表面保護酸化膜を形成し、続いて絶縁耐圧が高く、リーク電流が小さく、注入電荷量が大きな絶縁酸化膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板表面を酸化して絶縁酸化膜を形成する工程において、前記半導体基板をオゾンを含む超純水に浸漬して表面保護用酸化膜を形成した後、該表面保護用酸化膜が付いたまま絶縁酸化膜形成装置に搬入して絶縁酸化膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面を酸化して絶縁酸化膜を形成する工程において、前記半導体基板をオゾンを含む超純水に浸漬して表面保護用酸化膜を形成した後、該表面保護用酸化膜が付いたまま絶縁酸化膜形成装置に搬入して絶縁酸化膜を形成することを特徴とする絶縁酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-227128
  
• 特開平4-113620
  
• オゾン酸化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182129   出願人：セイコーエプソン株式会社