半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303437
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150646
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】リフレッシュ動作時の消費電流を低減する。【構成】セルフ・リフレッシュ制御信号SRFbがアクティブレベルのときはデータ転送回路3の転送制御信号入力端をアクティブレベルに固定しインアクティブレルのときは転送制御信号発生回路7からの転送制御信号TGをそのままデータ転送回路3の転送制御信号入力端に供給する転送切換回路9を設ける。リフレッシュ動作時、転送切換回路9の転送制御信号入力端の充放電をなくす。

請求項（抜粋）：

対をなす第1及び第2のビット線、これら第1及び第2のビット線のそれぞれに接続し選択状態のとき接続するビット線からのデータを保持しかつ保持しているデータをこのビット線に出力する複数のメモリセル、並びにこれら複数のメモリセルのそれぞれと対応して接続し選択レベルのとき対応するメモリセルを選択状態とする複数のワード線を備えたメモリセルアレイと、転送された前記第1及び第2のビット線間のデータを所定のタイミングで増幅するセンス増幅器と、第1の転送制御信号がアクティブレベルのとき前記第1及び第2のビット線と前記センス増幅器との間を接続しデータの転送を行うデータ転送回路と、所定のタイミングでアクティブレベルとなる第2の転送制御信号を発生する転送制御信号発生回路と、リフレッシュ動作時にアクティブレベルとなるセルフ・リフレッシュ制御信号を発生するセルフ・リフレッシュ制御回路と、前記セルフ・リフレッシュ制御信号がアクティブレベルのときは常時アクティブレベルとなりインアクティブレベルのときは前記第2の転送制御信号と同一レベルとなる前記第1の転送制御信号を発生する転送切換回路とを有することを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/406 , H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 11/34 363 A , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146601 出願人：三菱電機株式会社

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