特許

J-GLOBAL ID：200903040696707089

半導体装置及びその製造方法

発明者： 西堀 弘 ,  千年原 望
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321986
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124438
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 所定の溶融温度を有する1種類の半田材、特に、鉛フリー半田材を用いたパワーモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板2と、絶縁基板上に固定されたヒートシンク4Aと、ヒートシンク上に半田材9で固定された半導体素子3とを含む電力用半導体装置100において、ヒートシンクが、絶縁基板に固定されたブロック状の本体部と、本体部から上方に突出して上部が半導体素子の載置面となった突出部であって、載置面が半導体素子の裏面と略同一形状である突出部とを有し、再溶融した半田材が、載置面上に保持されてなる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上に固定されたヒートシンクと、該ヒートシンク上に半田材で固定された半導体素子とを含む電力用半導体装置であって、該ヒートシンクが、該絶縁基板に固定されたブロック状の本体部と、該本体部から上方に突出して上部が該半導体素子の載置面となった突出部であって、該載置面が該半導体素子の裏面と略同一形状である該突出部とを有し、再溶融した該半田材が、該載置面上に保持されてなることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 23/36 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/36 Z

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BE01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-184943
  
• 特開昭62-090936
  
• 半導体装置の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-251791   出願人：松下電工株式会社