特許
J-GLOBAL ID:200903040698726145
単結晶育成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
江原 省吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-076360
公開番号(公開出願番号):特開2001-261478
出願日: 2000年03月14日
公開日(公表日): 2001年09月26日
要約:
【要約】【課題】 FZ法の単結晶育成装置において、強磁場下で安定した単結晶の育成を可能にする。【解決手段】 レーザー光をまずエキスパンダ23で太い円柱状の平行光にした後、インナーミラー27及びアウターミラー28で、その平行光を中空円筒状の光にする。次にその中空円筒状の光を、透明石英管3の周りに置いた第1の反射ミラー29で、透明石英管3の外周に沿う中空円筒状の光として、FZ近辺まで導く。そして、透明石英管3の周り、FZ付近に設置した第2の反射ミラー30で反射させ、それを放射状の水平光として溶融帯全周に照射する。ここで、FZ付近に設置された第2の反射ミラー30と透明石英管3は、超伝導マグネット8に囲まれたボアの中に収納されていて、強磁場下で単結晶の育成をすることができる。
請求項(抜粋):
鉛直方向に設置された透明石英管内で加熱溶融するフローティング・ゾーン方式の単結晶育成装置であって、レーザーと、そこから発せられたレーザー光を太い円柱状の平行光に拡張する第1の光学系と、その平行光を中空円筒状の光にする第2の光学系と、その中空円筒状の光を前記透明石英管に沿う中空円筒状の光として反射させる第3の光学系と、第3の光学系で反射した中空円筒状の光を前記フローティング・ゾーンの周囲から照射する第4の光学系とを有したことを特徴とする単結晶育成装置。
Fターム (4件):
4G077AA02
, 4G077CE05
, 4G077EJ02
, 4G077EJ04
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-149488
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特開昭63-225205
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超伝導酸化物の単結晶及びその使用方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-103354
出願人:兒嶋弘直, セイコーエプソン株式会社
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