特許
J-GLOBAL ID：200903040699720426
オプトエレクトロニク半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289502
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193341
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 炭素の多い層がダイオードレーザの被膜上に堆積されることなく、製造を比較的簡単としたオプトエレクトロニク半導体装置を提供する。【構成】 発光半導体ダイオード3を有し、その発生放射Rに対する出射面に被膜4が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置10において、前記の発光半導体ダイオード3を、外界40から気密封止されたエンベロープ20内に配置し、酸化性ガス30をエンベロープ20内に存在させる。
請求項（抜粋）：
発光半導体ダイオード(3)を有し、その発生放射(R)に対する出射面に被膜(4)が設けられているオプトエレクトロニク半導体装置(10)において、前記の発光半導体ダイオード(3)が、外界(40)から気密封止されたエンベロープ(20)内に配置され、酸化性ガス(30)がエンベロープ(20)内に存在していることを特徴とするオプトエレクトロニク半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
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特開平3-107808
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特開昭56-042389
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特開昭60-186076
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