特許

J-GLOBAL ID：200903040703871337

コンタクトホールの形成方法およびエッチング装置

発明者： 増 田 清 隆
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186095
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】滑らかで十分なテーパを有し、寸法精度にも優れたコンタクトホールを、容易かつ高い生産効率で形成できるコンタクトホールの形成方法、およびこれを実施するエッチング装置を提供する。【構成】半導体ウエハにフッ素ラジカルを含むガスを供給して等方性エッチングを行い、続いて、ウエハ表面に垂直入射するイオンを供給して異方性の高いエッチングを行うことを繰り返すことにより、また、反応室内でウエハを載置する反応室壁と絶縁されたRf電圧印加電極と、反応室と隣接して設けられるマイクロ波放電プラズマ発生部と、プラズマ発生部にエッチングガスを供給する手段と、反応室とプラズマ発生部との間に配置される接地されたガス分散板と、Rf電圧印加電極へのRf電位印加手段とを有することにより前記目的を達成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程におけるコンタクトホールの形成方法であって、半導体ウエハにフッ素ラジカルを含む電気的に中性なガスを供給して等方性エッチングを行い、続いて、前記半導体ウエハ表面に垂直方向に入射するイオンを供給して異方性の高いエッチングを行うことを繰り返すことにより、側壁部に傾斜の付いたコンタクトホールを形成し、かつ、少なくとも最後の異方性エッチング以外は、同一の系内でエッチングを行うことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/88

FI (3件)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/88 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-121509   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-230729
  
• 特開昭62-263638
  
• 特開昭61-266584