特許

J-GLOBAL ID：200903040736412869

不揮発性半導体装置およびその製造方法

発明者： 辻 直樹 ,  寺本 章伸 ,  若尾 和年
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222878
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりを下げることなく、フローティングゲートと基板との間の寄生容量を減少させる。【解決手段】 基板を提供するステップと、基板上に第1の絶縁層を積層するステップと、導電性の材料により、第1の絶縁層上にフローティングゲートの軸部を積層するステップと、基板にソースとドレインとを形成するステップと、軸部に近接して、吸湿性の材料を堆積するステップと、導電性の材料により、吸湿性の材料の上部にフローティングゲートのフィン部を形成するステップと、フィン部上に、第2の絶縁層を積層するステップと、導電性の材料により、第2の絶縁層上にコントロールゲートを形成するステップと、吸湿性の材料を気相雰囲気内でエッチングし、フィン部の下に空洞領域を形成するステップとからなる、不揮発性半導体装置の製造方法等を提供する。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートと、フィン部および軸部からなるフローティングゲートとを備えた不揮発性半導体装置の製造方法であって、基板を提供するステップと、基板上に、第1の絶縁層を積層するステップと、導電性の材料により、第1の絶縁層上にフローティングゲートの軸部を積層するステップと、基板にソースとドレインとを形成するステップと、積層された前記軸部に近接して、吸湿性の材料を堆積するステップと、前記導電性の材料により、前記吸湿性の材料の上部にフローティングゲートのフィン部を形成するステップと、前記フィン部上に、第2の絶縁層を積層するステップと、導電性の材料により、積層された第2の絶縁層上にコントロールゲートを形成するステップと、堆積された前記吸湿性の材料を気相雰囲気内でエッチングし、フィン部の下に空洞領域を形成するステップとからなる、不揮発性半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481

FI (3件)：

H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (43件)：

5F001AA03 ,  5F001AA30 ,  5F001AA43 ,  5F001AA62 ,  5F001AC02 ,  5F001AD17 ,  5F001AD53 ,  5F001AD60 ,  5F001AF24 ,  5F001AG01 ,  5F001AG28 ,  5F001AG40 ,  5F083EP05 ,  5F083EP49 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP79 ,  5F083ER22 ,  5F083GA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA12 ,  5F101BA17 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BF08 ,  5F101BH01 ,  5F101BH13 ,  5F101BH21