特許

J-GLOBAL ID：200903040770497075

有機トランジスタおよびその製造方法

発明者： 中村 隆一 ,  松原 亮平 ,  喜納 修 ,  石▲崎▼ 守
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076796
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258218
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】層間密着性の優れた、有機半導体の封止層形成時および封止層形成後に特性劣化が起こらない有機トランジスタおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板上に有機半導体が設けられ、該有機半導体を覆うようにして第1の封止層が設けられ、該第1の封止層を覆うようにして第2の封止層が設けられた有機トランジスタであって、前記第1の封止層の表面の中心線平均粗さ(Ra)(JISB0601)を2nm以上にすること。有機半導体直上に、体積抵抗が1012Ωcm以上の、有機半導体と接しても有機半導体へダメージを与えないフッ素化合物からなる第1の封止層を形成し、また、第1の封止層の上に、酸素および水蒸気バリア性を保持する第2の封止層を形成すること。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に有機半導体が設けられ、該有機半導体を覆うようにして第1の封止層が設けられ、該第1の封止層を覆うようにして第2の封止層が設けられた有機トランジスタであって、 前記第1の封止層の表面の中心線平均粗さ(Ra)(JISB0601)が2nm以上であることを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/312

FI (4件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/312 A

Fターム (54件)：

5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AC01 ,  5F058AC02 ,  5F058AC05 ,  5F058AC06 ,  5F058AC07 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD03 ,  5F058AD04 ,  5F058AD06 ,  5F058AD07 ,  5F058AD08 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F058AH04 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-146036   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社