特許
J-GLOBAL ID:200903040777895360
半導体検査装置および半導体検査手法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
板垣 孝夫
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
, 原田 洋平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-117817
公開番号(公開出願番号):特開2008-122362
出願日: 2007年04月27日
公開日(公表日): 2008年05月29日
要約:
【課題】多数個の半導体デバイスに対してそれらの電気特性を同時に検査する場合でも、個々の半導体デバイスについて正確に検査することで製品としての歩留り低下を確実に抑えることができる半導体検査装置および半導体検査手法を提供する。【解決手段】多数個の半導体デバイスを検査する際に、以前に実施されメモリ99に格納された別の検査または製造における判定結果または測定値、あるいは、今回の検査においてメモリ99に格納された過去の判定結果または測定値を元に、今回検査対象となる半導体デバイスの中で、同時に検査する半導体デバイスの組合せを決定する組合せ決定手段105を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の半導体デバイスに対して同時に電気特性を検査する半導体検査装置において、
当該半導体検査装置を用いて行う検査より以前に実施された別工程の検査または製造における判定結果または測定値、あるいは、前記当該半導体検査装置を用いた同一工程の検査における過去の判定結果または測定値を元に、
前記当該半導体検査装置による検査対象となる半導体デバイスの中で、前記半導体デバイスに対する同時検査の組合せを決定する組合せ決定手段を備えた
ことを特徴とする半導体検査装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R31/28 Y
, H01L21/66 B
Fターム (13件):
2G132AA00
, 2G132AD00
, 2G132AG02
, 2G132AG04
, 2G132AH02
, 2G132AL11
, 2G132AL25
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106DD16
, 4M106DJ20
引用特許:
出願人引用 (3件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-295855
出願人:日鉄セミコンダクター株式会社
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特開平3-163364号公報
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特許第3834050号公報
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