リソグラフィ・プロセス用のスタンプ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-508254
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511710
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：

【要約】基板の表面とスタンプ構造自体の表面のでこぼこを吸収するための変形可能層(14)と、リソグラフィ・パターンが彫り込まれるパターン化層(12)とを含む、1ミクロン未満のフィーチャのリソグラフィ処理用のハイブリッド・スタンプ構造について記載する。このスタンプ構造は、スタンプ用の剛性サポートとして機能し、その結果、負荷が加わったときにスタンプの不要な変形を防止するための第3の層(16)を含むことによって、さらに強化されている。

請求項（抜粋）：

リソグラフィ・プロセス用のスタンプ構造において、基板(30;40;60)の表面と前記スタンプ構造の表面との共形接触を行うための第1の材料からなる変形可能層(14;24)と、前記基板に転写すべきリソグラフィ・パターンを備えた第2の材料からなるパターン化層(12;22)とを含むことを特徴とするスタンプ構造。

IPC (3件)：

B41K 1/02 , G03F 7/00 501 , H01L 21/20

FI (4件)：

B41K 1/02 D , B41K 1/02 B , G03F 7/00 501 , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-343463 出願人：大日本印刷株式会社
特開昭60-113500
特開昭59-185777

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