半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270826
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122652
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】表面積の大きいシリコン膜の凹凸より大きな凹凸面を有する下層用電極を形成し、電極面積を増大させて、キャパシタ容量を増大させることを目的とする。【構成】この発明は、不純物がドープされた第1のシリコン膜を堆積し、キャパシタの下層用電極8を形成する工程と、この下層用電極8より不純物のドープ量が少なく且つ表面積の大きい第2のシリコン膜9をその上に堆積する工程と、表面積の大きい第2のシリコン膜9をエッチング除去し、下層用電極8表面に凹凸を形成する工程と、上記下層用電極8膜上に容量絶縁膜10,11を介して上層用電極12を形成する工程と、を備えてなる。

請求項（抜粋）：

不純物がドープされた第1のシリコン膜を堆積し、キャパシタの下層用電極を形成する工程と、この第1のシリコン膜より不純物のドープ量が少ないもしくは、ドープされていない表面積の大きい第2のシリコン膜をその上に堆積する工程と、表面積の大きい第2のシリコン膜をエッチング除去し、第1のシリコン膜表面に凹凸を形成する工程と、上記第1のシリコン膜上に容量絶縁膜を介して上層用電極を形成する工程と、からなる半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体メモリ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-326295 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

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