特許
J-GLOBAL ID：200903040845390034
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-249451
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092736
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 ROMとA/D変換器とを内蔵するマイクロコンピュータの高性能化、高信頼化を図る。【解決手段】 マイクロコンピュータに内蔵されたROMを構成するMISFETのフローティングゲート4AとA/D変換器の抵抗素子11Bとを異なる導電膜で形成することにより、フローティングゲート4A、抵抗素子11Bのそれぞれのシート抵抗を最適化する。
請求項（抜粋）：
フローティングゲートおよびコントロールゲートを備えたMISFETでメモリセルを構成した不揮発性メモリと、A/D変換器とを同一半導体チップ上に形成したマイクロコンピュータを有する半導体集積回路装置であって、前記MISFETの半導体領域とこの半導体領域に接続されるデータ線との間にパッド層を設けると共に、前記A/D変換器の抵抗素子を前記パッド層と同一材の膜で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
