特許
J-GLOBAL ID：200903040862715290
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238230
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059904
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 鉛フリー化した接合技術を採用し、高耐熱性、高熱伝導性、高密着性の優れた半導体装置を実現する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、金属層を表面に持つリードフレーム16aと金属層を裏面に持つ半導体素子11の間を、鉛元素非含有の金属微粒子層15、金属粒子-樹脂複合材料層もしくは金属箔14、および金属微粒子層13の3層構造のダイマウント材を用いて、各接合界面を、金属拡散接合することにより、高熱伝導性、高密着性を実現することを可能にしたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
裏面に金属層を有する半導体素子と、
前記半導体素子の金属層に接して積層形成されている第1の金属微粒子焼結体層と、
前記第1の金属微粒子焼結体層に接して積層形成されている金属粒子樹脂複合材料層と、
前記金属粒子樹脂複合材料層に接して積層形成されている第2の金属微粒子焼結体層と、
前記第2の金属微粒子焼結体層表面に接して設けられている少なくとも表面が金属層からなるリードフレームの素子担持部とからなり、
少なくとも前記半導体素子、および前記第1の金属微粒子焼結体層、ならびに、前記第2の金属微粒子焼結体層及び前記リードフレームの素子担持部のそれぞれの間の界面で金属拡散接合が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 E
, H01L23/36 D
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB21
, 5F036BC05
, 5F036BD01
, 5F036BD21
, 5F047BA21
, 5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA53
, 5F047BB16
, 5F047BC06
