特許

J-GLOBAL ID：200903040863698674

ITO膜付き基体、およびその製造方法、ならびにそれを有する有機EL素子

発明者： 光井 彰 ,  増茂 邦雄
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-335552
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】【課題】膜表面の凹凸が小さく平坦性に優れ、成膜後の加熱処理や透明ITO膜の表面の研磨といった複雑な製造工程が不要なITO膜を有するITO膜付き基体とそのの製造方法、および駆動電流が低く、ダークスポットが発生しにくい有機EL素子の提供。【解決手段】基体上に酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜と、前記下地膜に接して形成された錫ドープ酸化インジウム膜とを有する錫ドープ酸化インジウム膜付き基体であって、前記下地膜の膜厚が1〜15nmであり、前記ITO膜表面の平均表面粗さRaが1.2nm以下であることを特徴とする錫ドープ酸化インジウム膜付き基体、および該錫ドープ酸化インジウム膜付き基体を用いた有機EL素子。

請求項（抜粋）：

基体上に酸化ジルコニウムを主成分とする厚さが1〜15nmである下地膜を形成し、次いで前記下地膜に接して錫ドープ酸化インジウム膜を形成し、次いで酸素ガスを含むスパッタガスの雰囲気中において前記錫ドープ酸化インジウム膜を逆スパッタ処理することを特徴とする錫ドープ酸化インジウム膜付き基体の製造方法。

IPC (5件)：

C03C 17/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28

FI (5件)：

C03C 17/34 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28

Fターム (23件)：

3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007AB08 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC03 ,  4G059AC14 ,  4G059EA01 ,  4G059EA03 ,  4G059EB02 ,  4G059EB04 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導電膜付き基体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-363003   出願人：旭硝子株式会社
• 特開昭55-131902
  
• 特開昭61-227945