特許
J-GLOBAL ID：200903040900681639
静電気保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000262
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209377
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 寄生バイポーラトランジスタによる電流経路を遮断した静電気保護回路を提供すること。【解決手段】 ダイオードを構成するp+型不純物領域22,32とn+型不純物領域24,34とを囲んでn+型ガードリング領域26,36をn型ウェル領域20,30内に形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第2導電型ウェル領域と、前記第2導電型ウェル領域内に形成された第1導電型不純物領域と、前記第2導電型ウェル領域内に形成された第2導電型不純物領域と、前記第1導電型不純物領域および前記第2導電型不純物領域を囲んで前記第2導電型ウェル領域内に形成され、第2導電型ウェル領域より高濃度の第2導電型ガードリング領域とを具備することを特徴とする静電気保護回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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