プラズマCVD装置及びその場クリーニング後処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-070911
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241865
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 CVD処理後の反応容器内の付着残留物を除去するその場クリーニング後の後処理を、短時間に効率的に行えるようにする。【構成】基板薄膜の含有元素と共通した元素を有する材料であってクリーニングガス材料と反応して揮発物を生成する後処理用ガスを、薄膜の堆積速度が反応律速状態となる流量で反応容器1内にガス導入手段4により導入する。薄膜の堆積速度が反応律速状態となる条件でプラズマ形成手段3が後処理用ガスにエネルギーを与えてプラズマを形成し、付着残留したクリーニングガス材料が後処理用ガスと反応して揮発物を生成し、揮発物は排気系11により排出される。クリーニングガス材料は薄膜で閉じ込められることなく除去される。

請求項（抜粋）：

排気系を備えて内部が排気可能に構成された反応容器と、該反応容器内にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、薄膜形成用の反応性ガスを反応容器内へ導入するガス導入手段とを有し、該プラズマ形成手段によってプラズマを生成しこのプラズマによって反応性ガスを反応させ、反応容器内に配置された基板に基板薄膜を作成するプラズマCVD装置であって、前記ガス導入手段は、前のプラズマCVD処理によって反応容器内の構成物に付着残留した材料と反応してこの材料を除去するクリーニングガスを導入するガス導入系と、この除去の後に反応容器内に付着残留したクリーニングガス材料を除去するための後処理用ガスを導入するガス導入系とを含み、この後処理用ガスのガス導入系は、作成する基板薄膜の含有元素と共通した元素を有する材料であって前記クリーニングガス材料と反応して揮発物を生成することが可能な反応性ガスを後処理用ガスとして導入するものであり、かつ、この後処理用ガスのガス導入系は、後処理用ガスによって堆積する薄膜の堆積速度が反応律速状態となる条件で後処理用ガスを後処理の際に導入するものであり、さらに、前記プラズマ形成手段は、付着残留したクリーニングガス材料に後処理用ガスを反応させて前記排気系により排気される揮発物を生成してクリーニングガス材料を閉じ込めることなく除去することが可能なプラズマを形成するものであり、かつ、このプラズマ形成手段は、後処理用ガスによって堆積する薄膜の堆積速度が反応律速状態となる条件でエネルギーを後処理の際に後処理用ガスに与えるものであることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/31 , H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C23F 4/00 F , H01L 21/31 C , H01L 21/302 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-165075
特開平3-130368
特開昭61-247031

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審査官引用 (4件)

特開平4-165075
特開平3-130368
特開昭61-247031

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