特許

J-GLOBAL ID：200903062741814553

薄膜形成方法

発明者： 小林 直昭 ,  浦田 一男 ,  岩崎 直之
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201847
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 デバイスの高密度化、高信頼化に対応し得る窒化膜の形成前処理方法および薄膜形成方法を提供する。【構成】 半導体基板5を収容する反応室1および反応容器2内部の堆積物に、NF3 を含むガス系に高周波電源8からの電力を印加して生じるプラズマ中のラジカルによりエッチングさせ、NH3 を含むガス系に高周波電源8を印加してプラズマを発生させ残留するフッ素成分を除去する。続いて、SiH4 /NH3 /N2 系の原料ガスを使用することにより、プラズマCVD法にて窒化膜を形成し、NH3 を含むガス系に高周波電源8を印加して発生するプラズマ中のNH3 からの活性種を残留するSiH4 活性種に作用させ、Si成分に富んだ成膜レートの早い異常成膜の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

基板を収容する反応容器内において、原料ガスに高い周波数を有する第1の電力を印加し、発生するプラズマ中の活性種同士の化学反応により形成される反応生成物を基板に成膜するステップと、窒素化合物を含むガスに高い周波数を有する第2の電力を印加し、発生するプラズマ中の活性種を前記原料ガスの残留活性種に作用するステップとを備える薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-130368
  
• 特開平2-240267
  
• 特開平4-323377
  
• 特開平4-273442
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310174   出願人：ソニー株式会社