特許

J-GLOBAL ID：200903040924035711

新規N-スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 大澤 洋一 ,  小林 克浩 ,  前田 和規 ,  宮越 宏 ,  田中 恵生
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-252855
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるN-スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物。【化1】(Rは、H、F、NO2、又はアルキル基又はアルコキシ基、nは0又は1、mは1又は2、rは0〜4、r’は0〜5、Gは単結合又は二重結合、pとqは独立にH又はアルキル基を示し、あるいはpとqとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。)【効果】 本発明の化合物を用いた化学増幅型レジスト材料は、解像性、焦点余裕度に優れ、PEDが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れる。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるN-スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物。【化1】(式中、Rは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、ニトロ基、又は炭素数1〜4の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。nは0又は1であり、mは1又は2である。rは0〜4の整数、r’は0〜5の整数である。Gは単結合又は二重結合を示し、pとqは独立に水素原子又は炭素数1〜10の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはpとqとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。)

IPC (5件)：

C07D207/408 ,  C07D209/76 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C07D207/408 ,  C07D209/76 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (24件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C069AC36 ,  4C069BC10 ,  4C204CB19 ,  4C204DB30 ,  4C204EB03 ,  4C204FB33 ,  4C204GB01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第258450号公報
  
• 特許第2839172号公報
  
• N-スルホニルオキシイミド化合物およびそれを用いた感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-336666   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245564   出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (5件)

• ポジ型感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250518   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-057719   出願人：信越化学工業株式会社
• 新規スルホニルジアゾメタン化合物及びレジスト材料用の光酸発生剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-230142   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245566   出願人：信越化学工業株式会社
• 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245564   出願人：信越化学工業株式会社