特許
J-GLOBAL ID：200903040931213749

撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板

発明者：
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144816
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300614
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】光電変換部を厚く構成することができ、光学感度を向上させることができ、混色の発生を抑制することができる撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板を提供する。【解決手段】撮像素子10は、半導体基板の裏面側から光が照射され、光に応じて半導体基板内で発生した信号電荷を半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う構成であって、半導体基板には、複数の不純物拡散層を有し、光電変換によって信号電荷を生成する光電変換層が形成され、光電変換層の裏面側の不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材24が設けられている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面側から光が照射され、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した信号電荷を前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子であって、 前記半導体基板には、複数の不純物拡散層を有し、光電変換によって前記信号電荷を生成する光電変換層が形成され、前記光電変換層の前記裏面側の不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材が設けられていることを特徴とする撮像素子。
IPC (1件)：
H01L 27/14
FI (1件)：
H01L27/14 D
Fターム (13件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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