特許

J-GLOBAL ID：200903040950155636

AlGaInP系可視光半導体レーザ素子

発明者： 本多 正治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277212
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132603
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 高い寸法精度をもち歩留まりの良いメサストライプ構造のAlGaInP可視光半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層3、AlGaInP活性層4、p型AlGaInPクラッド層5、及び引っ張り歪みをもつGaInP層6を形成し、該GaInP層6上にメサストライプ型のp型AlGaInPクラッド層7を形成した構造とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板と、この基板上に設けられたAlGaInPからなる第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、AlGaInPとからなる第2導電型の第2クラッド層とで構成されるダブルヘテロ接合部と、前記第2クラッド層上に形成された引っ張り歪みをもち且つ前記活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいGaInPからなるエッチングストッパー層と、該エッチングストッパー層上に形成されたAlGaInPからなるメサストライプ状の第2導電型の第3クラッド層とを含む多層構造を有することを特徴とするAlGaInP系可視光半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• オプトエレクトロニクス半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114695   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 多ビーム半導体量子井戸レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162990   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 特開平4-106991
  
• 特開平3-225985