特許

J-GLOBAL ID：200903040958002677

金属インジウムが内含されている単結晶酸化インジウムナノチューブとその製造方法

発明者： 板東 義雄 ,  ユパオ・リ ,  デミトリー・ゴルバーグ
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358692
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189528
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス等の分野に応用が期待されている酸化インジウム系の単結晶ナノチューブとその製造方法を提供する。【解決手段】金属インジウムと酸化インジウムの混合粉末を真空下で1000°C〜1500°Cの温度範囲に加熱することにより、単結晶の酸化インジウムナノチューブであり、その中空部に金属インジウムが内含される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

単結晶の酸化インジウムナノチューブであり、その中空部に金属インジウムが内含されていることを特徴とする金属インジウムが内含されている単結晶酸化インジウム。

IPC (4件)：

C30B29/66 ,  C01G15/00 ,  C30B1/04 ,  C30B29/62

FI (4件)：

C30B29/66 ,  C01G15/00 B ,  C30B1/04 ,  C30B29/62 A

Fターム (9件)：

4G077AA01 ,  4G077AA04 ,  4G077BB10 ,  4G077CA04 ,  4G077CA08 ,  4G077EC02 ,  4G077HA05 ,  4G077JA05 ,  4G077JB07

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Fabrication and characterization of nanotubular semiconductor oxides In2O3 and Ga2O3