特許
J-GLOBAL ID：200903040961416067
高密度ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311428
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】【構成】 焼結密度90%以上100%以下、焼結粒径1μm以上20μm以下のITO焼結体およびそのスパッタリングタ-ゲット。【効果】 本発明のスパッタリングタ-ゲットは、熱伝導性、抗折力が高く、比抵抗は1×10-3Ωcm以下であり、スパッタレ-トが最も高く、タ-ゲットの割れやタ-ゲット表面のノジュールの発生を効果的に防止し、また、特に低温基板上に極めて低抵抗な透明導電膜を提供することが可能となる。
請求項（抜粋）：
焼結密度90%以上100%以下、焼結粒径1μm以上20μm以下であることを特徴とする高密度ITO焼結体。
IPC (2件)：
引用特許：
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