特許
J-GLOBAL ID:200903080711467709

酸化インジウム-酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 和夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-018312
公開番号(公開出願番号):特開平5-179439
出願日: 1992年01月06日
公開日(公表日): 1993年07月20日
要約:
【要約】【目的】 液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の透明電極、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられるインジウム-錫酸化物透明導電膜を短時間のスパッタリングにより形成することのできるスパッタリング用ターゲットを提供する。【構成】 結晶粒の平均粒径が1μm以下の組織を有し、かつ相対密度が85%以上の酸化インジウム-酸化錫焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
請求項(抜粋):
結晶粒の平均粒径が1μm以下の組織を有し、かつ相対密度が85%以上の酸化インジウム-酸化錫焼結体からなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C04B 35/00
引用特許:
審査官引用 (16件)
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