スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343569
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】高周波スパッタ成膜方法に関し、プロセスウィンドウの広い安定したプラズマを用い、安定した組成の化合物膜を形成し、化合物膜の組成制御を容易にすること。【解決手段】高周波スパッタ成膜方法において、ウェハとターゲットにより形成される空間の外側に位置する壁の一部又は全部に交流電圧又は交流電流を印加し、又は、高周波電力をパルス発振させてプラズマ中の電子温度を下げ、又は、スパッタ用ガスをヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンの少なくとも1種のガスを含め、又は、ウェハとターゲットにより形成される空間の外側に位置する壁の一部又は全部にマイナス電圧を印加することを含む。

請求項（抜粋）：

チャンバ内においてサセプタ上に載置したウェハに間隔をおいてターゲットを対向させ、前記チャンバ内を減圧し、前記ターゲットに高周波電力を印加し、前記チャンバ内にスパッタ用ガスを導入することにより、前記ターゲットを構成する材料を前記ウェハ上に堆積させて膜を形成するスパッタ成膜方法において、前記ウェハと前記ターゲットにより形成される空間の外側に位置する壁の一部又は全部に交流電圧を印加することを特徴とするスパッタ成膜方法。

IPC (8件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

C23C 14/34 S , H01L 21/203 S , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

薄膜キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-177836 出願人：日本電気株式会社

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