特許
J-GLOBAL ID:200903041015197157
基準電圧発生回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-222203
公開番号(公開出願番号):特開平9-062391
出願日: 1995年08月30日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】 MOS型電界効果トランジスタを用いて構成され、しかも基準電圧の温度係数を所定値に設定することが容易な基準電圧発生回路を提供する。【解決手段】 出力端子と非反転及び反転入力端子との間に抵抗12(抵抗値R1),14(抵抗値R2)が接続された演算増幅器10と、非反転入力端子に接続されたトランジスタTr1と、抵抗16(抵抗値R3)を介して反転入力端子に接続されたトランジスタTr2とを備える。各トランジスタTr1,Tr2のゲート幅Wとゲート長Lとが夫々等しく形成され、更に、R1=R3、(W/L)×R3=0.7×106 Ω、R2/R3=4.6となるように、抵抗値R1〜R3およびゲート幅Wとゲート比L,即ちトランジスタ特性は、関連付けられている。その結果、基準電圧発生回路2が出力する基準電圧Voの温度係数は、当該回路にて実現可能な温度係数の最小値に略等しくなる。
請求項(抜粋):
外部装置に対して所定の基準電圧を出力するための演算増幅器と、該演算増幅器の出力端子と非反転入力端子との間に接続された第1の抵抗と、上記演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された第2の抵抗と、一端が上記非反転入力端子に接続されると共に他端が接地され、上記第1の抵抗に上記出力端子側から上記非反転入力端子側に向けて電流を流す第1の半導体回路と、一端が上記反転入力端子に接続された第3の抵抗と、一端が該第3の抵抗の上記反転入力端子とは反対側に接続されると共に他端が接地され、上記第2の抵抗に上記出力端子側から上記反転入力端子側に向けて電流を流す第2の半導体回路と、を備え、上記演算増幅器が、上記第1及び第2の半導体回路の両端電圧の差と上記第3の抵抗の抵抗値とに基づいて上記第2及び第3の抵抗に流れる電流により誘起される上記第2の抵抗の両端電圧と、上記第1の半導体回路による非反転入力端子への印加電圧との加算値を、出力端子から上記基準電圧として出力する基準電圧発生回路において、上記第1の半導体回路を、ゲート及びドレインが上記演算増幅器の非反転入力端子に接続され、ソースが接地された第1のNチャネルMOS型電界効果トランジスタから構成すると共に、上記第2の半導体回路を、ゲート及びドレインが上記第3の抵抗に接続され、ソースが接地された第2のNチャネルMOS形電界効果トランジスタから構成し、しかも、上記第1及び第2のNチャネルMOS型電界効果トランジスタのゲート幅及びゲート長を、それぞれ同一寸法に形成し、上記基準電圧の温度係数が所定値となるように、上記第1ないし第3の抵抗の抵抗値を設定してなることを特徴とする基準電圧発生回路。
IPC (2件):
FI (2件):
G05F 3/24 Z
, H03F 1/30 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開平3-242715
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基準電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-083672
出願人:三菱電機株式会社
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