特許
J-GLOBAL ID：200903041017130017

脆性材料の割断方法及び装置

発明者：
三浦 宏

三浦 宏 について

, 
軽部 規夫

軽部 規夫 について


出願人/特許権者：
株式会社レミ

株式会社レミ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172566
公開番号（公開出願番号）：特開2006-347783
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】レーザビーム照射による加熱、あるいは同照射と冷却液噴射による冷却の併用によって熱応力を惹起し、脆性材料の十分な厚さにわたるスクライブを発生させ、同スクライブのみにより材料割断を行う方法を提供する。【解決手段】 脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御して、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。吸収係数制御を、材料にInGaAs半導体レーザ光を吸収発熱し、かつ可視域の透過特性に影響せず、表示器用ガラスの表示特性を悪化させないYbのような希土類原子を最適量添加することによって実現する。蛍光発光防止のためには不純物濃度の下限値を制限する。照射用半導体レーザ光は、同レーザスタック16から出射端が割断形状と一致するように配列されたファイバーバンドル17を経由して照射させる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
レーザ光照射、あるいはそれに続く冷却手段の併用を伴った同照射によって、ガラス、石英、セラミックス、半導体などの脆性材料において熱応力に起因する亀裂(レーザスクライブ)を発生させ、材料を十分な厚さにわたって割断する脆性材料の割断装置において、これらの材料に不純物を添加してレーザ光吸収を制御し、この時に生じるフォノンによって熱応力を発生させて割断を行い、かつ材料厚さをL(cm)、材料の吸収係数をα(cm-1)とした時、αが不等式0.105/L、<α<18.42/Lを満足するように選択したもの。
IPC (6件)：
C03B 33/09 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/18 ,  B23K 26/40 ,  B28D 5/00 ,  C04B 41/91
FI (6件)：
C03B33/09 ,  B23K26/00 D ,  B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 Z ,  C04B41/91 E
Fターム (12件)：
3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069CA03 ,  3C069CA11 ,  3C069EA02 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CF00 ,  4E068DB13 ,  4G015FA04 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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