特許
J-GLOBAL ID：200903041046455782
レジスト下層膜用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325403
公開番号（公開出願番号）：特開2004-157469
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】レジストの下層に設けることにより、レジストはがれがなくパターンの再現性を向上させ、アルカリおよびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を得るための、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することを目的としている。【解決手段】本発明に係るレジスト下層膜用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される化合物を含むアルコキシシランの加水分解縮合物と、(B)少なくとも下記一般式(2)で表される化合物を含むアルコキシシランの加水分解縮合物とからなることを特徴としている;Si(OR2)4 ...(1)(各R2は、同一でも異なっていても良く、1価の有機基を示す。)R1nSi(OR2)4-n ...(2)(各R1は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基または水素を示し、各R2は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基を示し、nは1〜2の整数を示す。)。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物(A-1)を含むアルコキシシランの加水分解縮合物と、
(B1)下記一般式(2)で表される化合物(B-2)を含むアルコキシシランの加水分解縮合物と
からなることを特徴とするレジスト下層膜用組成物(a);
Si(OR2)4 ...(1)
(各R2は、同一でも異なっていても良く、1価の有機基を示す。)
R1nSi(OR2)4-n ...(2)
(各R1は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基または水素を示し、各R2は、同一でも異なっていても良く、それぞれ1価の有機基を示し、nは1〜2の整数を示す。)。
IPC (4件)：
G03F7/11
, C08G77/02
, C08G77/18
, H01L21/027
G03F7/11 503
, C08G77/02
, C08G77/18
, H01L21/30 573
2H025AA04
, 2H025AA08
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025DA39
, 2H025DA40
, 2H025FA17
, 2H025FA35
, 2H025FA41
, 4J035AA02
, 4J035AA03
, 4J035BA02
, 4J035BA03
, 4J035BA06
, 4J035BA12
, 4J035CA01K
, 4J035CA061
, 4J035LB16
, 5F046NA01
, 5F046NA18
