特許
J-GLOBAL ID：200903016189630513

レジスト下層膜用組成物

発明者：
杉田 光

杉田 光 について

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今野 圭二

今野 圭二 について

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西川 通則

西川 通則 について

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山田 欣司

山田 欣司 について

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斎藤 明夫

斎藤 明夫 について

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楠本 士朗

楠本 士朗 について

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大田 芳久

大田 芳久 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352989
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166490
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 長期保温した場合のレジストパターンの再現性や解像度に優れ、焼成温度に対するレジストとの密着性依存性の少ないレジスト下層膜用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物をSi(OR1)4・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)下記一般式(2)で表される金属のキレート化合物R2aM(OR3)b-a ・・・・・(2)(R2はキレート剤、Mは金属原子、R3は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、bは金属Mの原子価、aは1〜bの整数を表す。)および/または酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物をSi(OR1)4・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)下記一般式(2)で表される金属のキレート化合物R2aM(OR3)b-a ・・・・・(2)(R2はキレート剤、Mは金属原子、R3は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、bは金属Mの原子価、aは1〜bの整数を表す。)および/または酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方、(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574
Fターム (12件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025CB33 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025DA35 ,  2H025DA40 ,  2H025FA29 ,  5F046HA07 ,  5F046JA27
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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