特許
J-GLOBAL ID：200903041095129670

導電性プラグの堆積方法

発明者：
中田 真一

中田 真一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284967
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093746
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 高いアスペクト比を有するコンタクトホールのステップカバリッジを向上させる導電性プラグの堆積方法を提供する。【解決手段】 図1(a)に示すバリアメタル工程では、CVD法によりWN、TiN、TaN等を半導体装置のホールの側壁にバリアメタル1として成膜する。同図(b)に示す核形成膜工程では、WF6、SiH4、及び、H2の反応性ガスを供給し、タングステン核形成膜群2をバリアメタル1の上に成膜する。同図(c)に示す埋込み膜工程では、WF6及びH2の反応性ガスを供給し、タングステン埋込み膜群3をタングステン核形成膜群2の上に成膜する。核形成膜工程及び埋込み膜工程は、ガス導入ステップ及びガス排気ステップを有し、双方のステップを交互に複数回繰り返すことにより、所望の膜厚にする。
請求項（抜粋）：
処理室内に反応性ガスを導入してスルーホール又はコンタクトホール内に導電性プラグを堆積する方法において、処理室内に反応性ガスを導入して堆積を進行させるガス導入ステップと、前記処理室内のガスを排気するガス排気ステップとを交互に繰り返すことを特徴とする導電性プラグの堆積方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/90 C
Fターム (49件)：
4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP33 ,  5F033TT07 ,  5F033WW05 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-243769
  • 特開昭63-065075
  • 配線形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-144495   出願人：ソニー株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM