特許

J-GLOBAL ID：200903041105409196

SOIウエーハの製造方法

発明者： 大槻 剛 ,  佐藤 英樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263870
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080949
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】SOI層と絶縁体との界面の界面準位密度を低減するSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、少なくとも、絶縁体上にSOI層を形成したSOIウエーハを製造する方法であって、前記SOIウエーハを、SOI層を形成した後に、CN-を含む薬液で処理することを特徴とするSOIウエーハの製造方法を提供する。そして、本発明のSOIウエーハの製造方法では、例えば、前記CN-を含む薬液を、KCN水溶液とすることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、絶縁体上にSOI層を形成したSOIウエーハを製造する方法であって、前記SOIウエーハを、SOI層を形成した後に、CN-を含む薬液で処理することを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (1件)：

H01L27/12 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 界面準位密度の算出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-233395   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 擬似MOSFETの測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-071452   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社