特許
J-GLOBAL ID：200903041122125924

半導体集積回路

発明者：
長谷川 益己

長谷川 益己 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273541
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106395
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 ストレスマイグレーションが発生しない電源配線構造を提供する。【解決手段】 VDD電源配線10を第1配線層11と、該第1配線層11にコンタクト接続する第2配線層14とで構成し、また、前記VSS電源配線20を第1配線層21と、該第1配線層21にコンタクト接続する第2配線層24とで構成し、更に、その上に層間絶縁膜25を介して前記VDD,VSS電源配線10,20と重畳して延在する第3配線層から成る信号配線30とを具備した半導体集積回路。
請求項（抜粋）：
電源配線と信号配線とが層間絶縁膜を介して重畳する領域を有する半導体集積回路において、前記電源配線を分割し、且つ、その分割した電源配線同士をコンタクト接続したことを特徴とする半導体集積回路。
Fターム (9件)：
5F033AA04 ,  5F033AA29 ,  5F033BA12 ,  5F033BA43 ,  5F033CA01 ,  5F033CA02 ,  5F033DA05 ,  5F033DA15 ,  5F033DA35
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295988   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-177031   出願人：日本電気株式会社

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