特許

J-GLOBAL ID：200903041129893536

半導体装置とその製造方法

発明者： 相原 一洋
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171751
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004700
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜のリーク電流の増加を抑制することができる半導体装置を得ること。【解決手段】シリコン基板1上にSiON膜12-1aを形成する工程と、SiON膜12-1a上にハフニウムと酸素とが結合したハフニウムオキサイドを含むハフニウムオキサイド膜12-2aを形成する工程と、ハフニウムオキサイド膜12-2a中にハフニウムをイオン注入する工程と、ハフニウムをイオン注入したハフニウムオキサイド膜12-2aをアニール処理して活性化させる工程と、ハフニウムオキサイド膜12-2a上にゲート電極となるPt膜を形成する工程と、Pt膜、ハフニウムオキサイド膜12-2a、SiON膜12-1aを所定の形状にパターニングする工程と、を含む。【選択図】 図2-2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に少なくともハフニウムと酸素が結合したハフニウムオキサイド膜を含んで形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に積層されるゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極の積層体の線幅方向両側の前記半導体基板表面付近に形成されたソース/ドレイン領域と、を有する半導体装置の製造方法において、 前記半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する第1のゲート絶縁膜形成工程と、 前記第1のゲート絶縁膜上にハフニウムオキサイドを含む第2のゲート絶縁膜を形成する第2のゲート絶縁膜形成工程と、 前記第2のゲート絶縁膜中に、ハフニウムをイオン注入するイオン注入工程と、 ハフニウムをイオン注入した前記第2のゲート絶縁膜をアニール処理して活性化させる活性化工程と、 前記第2のゲート絶縁膜上に、ゲート電極となる導電性材料層を形成するゲート電極形成工程と、 前記導電性材料層、前記第2および第1のゲート絶縁膜を所定の形状にパターニングするゲート電極パターン形成工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (5件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 P ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C ,  H01L21/316 M

Fターム (56件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BE03 ,  5F048BG11 ,  5F048DA23 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BH01 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE06 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006702   出願人：富士通株式会社