特許

J-GLOBAL ID：200903041133650672

半導体膜の形成装置及び形成方法

発明者： 今尾 和博 ,  森本 佳宏 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067337
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265859
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体膜のインラインモニターを可能とし、半導体装置製造の歩留まりを向上し、コストの削減を可能とした半導体装置を提供する。【解決手段】 レーザー発振源10、光学系11、照射部12、被処理基板15が載置された支持台14を内蔵したチャンバ13、照光素子及び採光素子からなる検光部16、検光情報を処理し、レーザー発振源17の出力を制御する中央制御部17よりなる。検光部にて、レーザー照射直後のp-Siの反射光が採光され、中央制御部17でこの情報を基にp-Si膜のグレインサイズが査定される。許容範囲外になることのないように常時レーザーパワーが部調整される。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体膜にレーザーアニールを施す半導体膜の形成装置において、前記半導体膜にレーザー光を照射するレーザー照射手段と、前記半導体膜に評価用光を照射する評価用光照射手段と、前記評価用光の前記半導体膜からの反射光を検出する評価用光検出手段と、前記評価用光検出手段からの情報を基に前記レーザー照射手段を制御する中央制御手段とを有し、照射レーザーエネルギーを微調整しながらレーザーアニールを行うことを特徴とした半導体膜の形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 T ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レーザーアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038995   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社