特許

J-GLOBAL ID：200903041145172067

半導体集積回路およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  間瀬 晃 ,  魚地 秀貴 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090292
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【構成】 単結晶半導体基板上に形成されたMOSトランジスタを有する集積回路において、該MOSトランジスタのゲイト電極・配線等の第1の配線層の表面を陽極酸化することによって、その表面に絶縁性の被膜を形成し、その上に直接、あるいは別に層間絶縁物を形成したのち、ソース・ドレイン電極あるいはその配線等の第2の配線を形成することによって歩留りと信頼性の向上を得ることを特徴とする半導体集積回路の作製方法およびそのようにして作製された半導体集積回路

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁性被膜と前記絶縁被膜上に形成され、上面と側面が陽極酸化法によって形成された酸化物で覆われた珪素を主成分とするゲイト電極とを有するMOSトランジスタと、基板上に形成された前記絶縁被膜と、その上に形成された前記絶縁ゲイト電極と同一材料からなり、陽極酸化法によって形成された酸化物によって被覆され、ゲイト電極に接続した第1の配線と、前記配線の陽極酸化物上に形成された第2の配線を有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭51-118393
  
• 特開昭55-024420
  
• 特開昭54-159885
  
• 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238712   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭60-189968