特許

J-GLOBAL ID：200903041204753516

多軸力覚センサ及び力覚センサの製造方法

発明者： 金子 新二
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074701
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264198
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、マイクロマニピュレータに適用可能な高感度で微小な多軸力覚センサ及び力覚センサの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、平板状の半導体基板に設けられた複数の開口部と、前記半導体基板の外周からなる支持部と、前記支持部から前記半導体基板の中央に延在される弾性を有した連結部と、前記支持部の略中央にあり、前記支持部と前記連結部とにより接続された力作用部と、前記連結部上に設けられる歪検出素子とを有し、前記連結部はP型半導体にN型不純物をドープした拡散領域からなり、電気化学エッチングにより、前記支持部及び前記力作用部よりも薄く形成されていることを特徴とする多軸力覚センサが提供される。

請求項（抜粋）：

平板状の半導体基板に設けられた複数の開口部と、前記半導体基板の外周からなる支持部と、前記支持部から前記半導体基板の中央に延在される弾性を有した連結部と、前記支持部の略中央にあり、前記支持部と前記連結部とにより接続された力作用部と、前記連結部上に設けられる歪検出素子とを有し、前記連結部はP型半導体にN型不純物をドープした拡散領域からなり、電気化学エッチングにより、前記支持部及び前記力作用部よりも薄く形成されていることを特徴とする多軸力覚センサ。

IPC (2件)：

G01L 5/16 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 5/16 ,  H01L 29/84 B

Fターム (19件)：

2F051AA10 ,  2F051AB10 ,  2F051AC01 ,  2F051DA03 ,  2F051DB03 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA06 ,  4M112CA10 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112DA04 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112EA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 力センサ付きマイクロマニピュレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144202   出願人：株式会社東海理化電機製作所, 新井史人
• 力覚センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066468   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開昭61-223625
  
• 特開昭63-266329