特許
J-GLOBAL ID：200903041216598737

セラミック基板、薄膜回路基板およびセラミック基板の製造方法

発明者：
五代儀 靖

五代儀 靖 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173361
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】優れた放熱性を有し、かつ、被膜性の高い薄膜回路層を確実に形成できるセラミック基板を得る。また、被膜性の高い薄膜回路層を形成した薄膜回路基板を得る。さらに、研磨加工後の反り発生を防止したセラミック基板の製造方法を得る。【解決手段】板状のセラミック焼結体2から成り、反りが5μm/インチ以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
板状のセラミック焼結体から成り、反りが5μm/インチ以下であることを特徴とするセラミック基板。
IPC (5件)：
C04B 35/00 ,  C04B 35/584 ,  C04B 35/581 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/00
FI (5件)：
H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/00 J ,  C04B 35/00 H ,  C04B 35/58 102 Z ,  C04B 35/58 104 Z
Fターム (17件)：
4G001BA09 ,  4G001BA13 ,  4G001BA32 ,  4G001BA36 ,  4G001BB32 ,  4G001BB36 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC73 ,  4G001BD03 ,  4G001BD23 ,  4G001BD36 ,  4G001BE22 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030BA12 ,  4G030CA08
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM