特許

J-GLOBAL ID：200903041284873614

絶縁ゲート型トランジスタ

発明者： 松本 聡 ,  谷内 利明 ,  有本 由弘 ,  伊藤 昭男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346026
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177100
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 ソース領域、チャンネル領域、オフセット領域及びドレイン領域を形成している単結晶半導体層の第1の主面上に、ゲート電極がゲート絶縁膜を介してチャンネル領域と対向して形成され且つ第1の絶縁膜がゲート電極及びゲート絶縁膜を覆って形成され、第1の絶縁膜が基板に接着され、単結晶半導体層の第2の主面上に第2の絶縁膜が形成され、その第2の絶縁膜上にソース領域に連結しているソース電極が形成されている絶縁ゲート型トランジスタにおいて、それを小型密実化する。【解決手段】 基板を不純物を高濃度で導入している単結晶半導体基板とし、第1の絶縁膜にドレイン領域及び単結晶半導体基板間に延長している窓を形成し、その窓をドレイン領域及び単結晶半導体基板に連結している導電性層によって埋め、ドレイン領域を導電性層を介して単結晶半導体基板に導出する。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の主面を有し且つ第1の導電型を有する単結晶半導体層を有し、上記単結晶半導体層内に、?@上記第1の主面側から、第1の導電型とは逆の第2の導電型を有するソース領域と第2の導電型を与える不純物を比較的低い濃度で導入している第2の導電型を有するオフセット領域とが、それら間にチャンネル領域を残すように、上記第2の主面に達する深さに形成されているとともに、?A上記第1の主面側から、第2の導電型を与える不純物を比較的高い濃度で導入している第2の導電型を有するドレイン領域が、上記オフセット領域に上記チャンネル領域側とは反対側において連接して、第2の主面に達する深さに形成され、上記単結晶半導体層の第1の主面上に、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して上記チャンネル領域と対向するように形成されているとともに、第1の絶縁膜が上記ゲート電極及びゲート絶縁膜を覆って形成され、上記第1の絶縁膜の上記単結晶半導体層側とは反対側の面が、平らな面でなり、上記第1の絶縁膜が、その上記平らな面側において、基板に接着され、上記単結晶半導体層の第2の主面上に、第2の絶縁膜が形成され、上記第2の絶縁膜上に、上記ソース領域に連結しているソース電極または上記ソース領域及び上記チャンネル領域に連結しているソース用兼バックゲート電圧付与用電極が形成されている電界効果型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて、上記基板が、第2の導電型を与える不純物を比較的高い濃度で導入している第2の導電型を有する単結晶半導体基板でなり、上記第1の絶縁膜に、上記ドレイン領域及び上記単結晶半導体基板間に延長している窓が形成され、上記窓が、上記ドレイン領域及び上記単結晶半導体基板に連結している導電性層で埋められていることを特徴とする電界効果型の絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092080   出願人：三菱電機株式会社