特許

J-GLOBAL ID：200903041300305079

シーケンシャルな堆積及びエッチングを備えたイオン化PVD

発明者： ツグルル・イェーサー ,  グリン・レイノルズ ,  フランク・セリオ ,  ブルース・ジットルマン ,  マイケル・グラッパーハウス ,  ロドニー・ロビソン
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-588618
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526868
出願日： 2002年05月03日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

iPVD装置(20)は、真空チャンバ(30)において半導体基板(21)上の高アスペクト比サブミクロン特徴部(11)に材料(10)を堆積するようにプログラムされている。モードは異なるパワー及び圧力パラメータで作動する。ターゲットから材料をスパッタリングするために、例えば、50 mTorr以上の圧力を用い、エッチングするために例えば、数 mTorr以下の圧力を用いる。基板へのバイアスパワーは、エッチングに対するより1オーダー高く、エッチングに対しては数100ボルトを生成するのに対して、堆積に対して数10ボルトだけである。交互のエッチングモードは、基板上の特徴部の端部を張り出す堆積材料を除去し、特徴部の底部(15)から堆積された材料の一部を除去し、特徴部の側壁(16)上に除去された堆積材料を再スパッタする。

請求項（抜粋）：

基板をiPVD装置のチャンバ内に密閉する段階と、チャンバを開けることなく、iPVD工程を実施して、堆積モード、その後エッチングモード、その後他の堆積モードで装置を運転することによって基板上の高アスペクト比のサブミクロン特徴部の表面に導電層を堆積する段階と、を備え、これらのモードを、堆積モード中とエッチングモード中で異なるパワー及び圧力パラメータで作動するように装置を制御することによって実施するiPVD方法。

IPC (2件)：

C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (2件)：

C23C14/34 U ,  H01L21/285 S

Fターム (22件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029AA29 ,  4K029BA08 ,  4K029BA16 ,  4K029BA58 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-112943   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-071297   出願人：ソニー株式会社