特許

J-GLOBAL ID：200903041306411288

透明電極膜の製造方法

発明者： 西本 隆 ,  河上 正徳 ,  前川 和也
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063036
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263237
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】 マスクを用いたスパッタリングによって透明電極膜を形成する際に異常放電による透明電極膜の損傷を防止する。【構成】 基板9上にマスク10を用いてITO膜からなる透明電極膜を直流マグネトロンスパッタリングによって形成する際に、ITOターゲット6と基板との間に、中央に開口部14を有するアノード13を設けてスパッタリングを行う。【効果】 アノードによって2次電子が捕捉されるので、異常放電を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にマスクを用いてITO膜からなる透明電極膜を直流マグネトロンスパッタリングによって形成する際に、ITOターゲットと基板との間に、平板の中央に開口部を有するアノードを設けてスパッタリングを行うことを特徴とする透明電極膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-002774
  
• 特開平4-254579
  
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032061   出願人：株式会社東芝