特許

J-GLOBAL ID：200903041317812446

X線マスクおよびその製造方法

発明者： 吉原 拓也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181975
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079347
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 X線マスクに形成されるマスクパターンとしてのX線吸収体は、プロセスにおいて表面酸化されるため、酸化によりX線吸収体に内部応力が発生し、パターン位置やパターン寸法に変動が生じる、高精度のX線マスクが得られない。【解決手段】 Siからなる支持枠2上にSiC等のX線透過膜3が形成され、このX線透過膜3上に所要のパターンに形成されるX線吸収体からなるマスクパターン5AがTaO等の酸化物で形成される。X線吸収体の成膜時やパターン形成時にX線吸収体が酸化されることがなく、酸化による応力がX線吸収体に生じることがない。これにより、高精度なパターン位置やパターン寸法を有するX線マスクが得られる。

請求項（抜粋）：

X線透過膜上に選択的に形成されたマスクパターンとしてのX線吸収体を有するX線マスクにおいて、前記X線吸収体が酸化物で形成されていることを特徴とするX線マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-010616
  
• 特開平2-002109
  
• X線マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335120   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-151015