特許

J-GLOBAL ID：200903041346397806

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法及びトンネル磁気抵抗効果素子

発明者： 稲毛 健治 ,  蜂須賀 望 ,  高橋 法男 ,  清水 達司 ,  黄 柏堅
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  新科實業有限公司
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266498
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081091
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 TMR素子の信頼性を低下させることなく、素子抵抗値を低減化させることができるTMR素子の製造方法、HGAの製造方法及びTMR素子を提供する。【解決手段】 TMR素子を作製する作製工程と、電圧又は電流によるストレスを印加するストレス印加処理を行ってTMR素子の素子抵抗値を低下させる抵抗値低減化工程とを備えている。この抵抗値低減化工程が、TMR素子の抵抗変化率を検出し、ストレス印加状態を監視するモニタ処理を含むことが好ましい。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

トンネル磁気抵抗効果素子を作製する作製工程と、該作製したトンネル磁気抵抗効果素子に電圧又は電流によるストレスを印加するストレス印加処理を行って該トンネル磁気抵抗効果素子の素子抵抗値を低下させる抵抗値低減化工程とを備えたことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/455 ,  G11C 11/15

FI (7件)：

H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  G11B5/455 C ,  G11C11/15 195 ,  G11C11/15 140

Fターム (5件)：

5D034BA05 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083ZA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トンネル磁気抵抗効果素子の特性検査方法および特性検査装置、ならびにハードディスクドライブ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-196959   出願人：ティーディーケイ株式会社