特許
J-GLOBAL ID：200903041366833076
気相成長用マグネシウム原料およびこれを用いた気相成長法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216660
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074108
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【構成】 ジメチル亜鉛2.5μmol/min、ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)マグネシウム3.5μmol/min、ジメチルセレン12μmol/min、ジメチル硫黄60μmol/minの割合の混合ガスを反応室内に約1時間供給し、約470°CのGaAs基板に、厚さ0.8μmのZnMgSSe混晶を成長させた。【効果】 ビス(イソプロピルシクロペンタジエニル)マグネシウムは、室温で液体であり、従来のマグネシウム原料よりも低温でガス化ができる。したがって、成長の制御が容易となり、得られる化合物半導体の品質も安定する。また、気相成長装置の設計が制限を受けず、設計の自由度が向上する。
請求項（抜粋）：
ビス(置換シクロペンタジエニル)マグネシウムを主成分とする気相成長用マグネシウム原料。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 29/26
, H01L 21/31
, H01L 21/365
