半導体装置用基板及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254226
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076197
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】絶縁耐圧特性・耐熱サイクル性に優れ、信頼性に富む半導体装置を提供する【解決手段】放熱板5、放熱板5の上の絶縁基板1、絶縁基板1の上に選択的に配置された表側導電体板21,22,23、表側導電体板21,22,23上に配置された半導体チップ31,32、表側導電体板21,22,23の外周端部に接して絶縁基板1の上面に配置された固体絶縁物11、絶縁基板1を囲うように放熱板5上に設けられたケース6、ケース6内に充填される柔軟絶縁物9とからなる。固体絶縁物11は、表側導電体板21,22,23の熱膨張率と絶縁基板の熱膨張率との中間の値の熱膨張率を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板の周囲部を露出させるように前記絶縁基板上に選択的に配置された導電体板と、前記導電体板の外周端部に接して、前記絶縁基板の上面に配置された固体絶縁物とからなり、前記固体絶縁物は、前記導電体板の熱膨張率と前記絶縁基板の熱膨張率との中間の値の熱膨張率を有する材料を、少なくとも一部に含むことを特徴とする半導体装置用基板。

IPC (7件)：

H01L 23/28 , H01L 23/15 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/13

FI (5件)：

H01L 23/28 L , H01L 23/14 C , H01L 23/30 B , H01L 25/04 C , H01L 23/12 C

Fターム (12件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA10 , 4M109DA02 , 4M109DB02 , 4M109DB10 , 4M109EA10 , 4M109ED01 , 4M109ED02 , 4M109ED07 , 4M109ED10 , 4M109EE06

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256606 出願人：株式会社東芝
特開平4-211150
内層用回路板、及びこの内層用回路板を用いた多層のプリント配線板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-263018 出願人：松下電工株式会社

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