特許

J-GLOBAL ID：200903064279387370

半導体装置

発明者： 平本 裕行 ,  関谷 洋紀 ,  清水 敏夫 ,  木島 研二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256606
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091472
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、絶縁破壊を防止し、高耐圧化を図ると共に、信頼性の向上を図る。【解決手段】 放熱板5と、放熱板上に取付けられたAlN基板2と、AlN基板の周囲部を露出させるようにAlN基板上に選択的に形成された銅箔1と、銅箔上に配置された半導体素子3と、AlN基板を囲うように放熱板上に設けられた容器本体(6,8,10)と、容器本体を貫通して保持され、半導体素子に電気的に接続された外部端子用リード線(7)と、容器本体内に充填されるシリコーンゲル9とを備えた半導体装置において、銅箔の外周部上並びにAlN基板の周囲部上に固化した樹脂11を備えたことにより、銅箔の外周部とAlN基板の周囲部とが密着すると共に、両者の界面に樹脂が存在することから、両者の界面での電界が緩和されて沿面放電が生じ難くなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

放熱板と、前記放熱板上に取付けられた絶縁基板と、前記絶縁基板の周囲部を露出させるように前記絶縁基板上に選択的に形成された導電箔と、前記導電箔上に配置された半導体素子と、前記絶縁基板を囲うように前記放熱板上に設けられた容器本体と、前記容器本体を貫通して保持され、前記半導体素子に電気的に接続された外部端子と、前記容器本体内に充填される充填部材とを備えた半導体装置において、前記導電箔の外周部上並びに前記絶縁基板の周囲部上に固化した樹脂部材を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/28 B ,  H01L 25/04 C

Fターム (10件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA12 ,  4M109EB12 ,  4M109EC07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-258618   出願人：富士電機株式会社
• 複合回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-218725   出願人：株式会社東芝