特許

J-GLOBAL ID：200903060064409768

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 西谷 昭彦 ,  須郷 満 ,  玉村 敏昭 ,  板屋 義夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322759
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162496
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高出力、高信頼性の半導体レーザおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体界面に接する第1の薄膜をAl、Si、Ga、Tiからなる群から選択した元素の薄い窒化膜例えばAlN膜16により、および続く第2の薄膜をAl、Si、Ga、Tiからなる群から選択した元素の厚い酸化膜あるいは酸化窒化膜例えばAl2O3膜17により構成された2層のパッシベーション膜18を共振器端面の反射防止膜とする、あるいは反射防止膜および高反射膜19の第1層とする。さらに、パッシベーション膜18の一部または全部を、ECRプラズマ付着法により形成する。

請求項（抜粋）：

端面がパッシベーション膜によって被覆された半導体レーザにおいて、酸素を組成元素としない第1の材料からなり該端面に接する第2の薄膜と、酸素を組成元素とする第2の材料からなり該第1の薄膜の上に積層された第2の薄膜とから形成された積層膜を、該パッシベーション膜とすることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-304100   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-142892
  
• 半導体レーザ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258613   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-369885