特許

J-GLOBAL ID：200903041374283883

撥水化処理の方法、薄膜形成方法及びこの方法を用いた有機EL装置の製造方法、有機EL装置、電子機器

発明者： 小林 英和
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343971
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257656
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】基板の撥水化処理にはフッ素プラズマを大気圧または真空中で掛けたり、フッ素アルキル処理剤でコーティングする方法があるが、手間が掛かったり、異物が付着する。【解決手段】基板表面にフッ素化物含有ガス2を流しながら紫外線1を照射して撥水化処理する。またこの方法により、隔壁内に薄膜を形成したり、液相法による有機EL装置を製造する。具体的には擦り洗浄、UVオゾン洗浄、紫外線フッ素化処理、インクジェット法による有機膜製膜、陰極製膜、封止を行う。

請求項（抜粋）：

基板の表面に対する撥水化処理の方法であって、基板をフッ化物含有ガス雰囲気に曝した状態で、紫外線照射を行うことを特徴とする撥水化処理の方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  B41J 2/01 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  B41J 3/04 101 Z

Fターム (7件)：

2C056FB01 ,  3K007AB11 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜パターニング用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076979   出願人：セイコーエプソン株式会社